研究生招生信息網(研招網)3篇
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推薦人姓名 被推薦人姓名
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學科（專業） 報考學科專業
工 作 單 位 被推薦人單位
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暨南大學
攻讀經濟學碩士學位研究生
西方經濟學考試大綱
為選拔優秀本科畢業生攻讀暨南大學經濟學碩士學位研究生，按照“考查基礎，公平競爭，擇優錄取，優質高效”的原則，特制訂本考試大綱。
第一部分 考試說明
西方經濟學原理，由微觀經濟學和宏觀經濟學兩部分組成。考試內容覆蓋了微觀經濟學和宏觀經濟學基礎理論的主要部分。
考試目的在于測試申請攻讀經濟學碩士學位的本科生對經濟學的基本概念、基本原理及基本分析工具和分析方法的掌握程度，考查考生是否具備應用基本原理和方法來分析各種經濟現象、解決各種問題的能力，是否具備進一步深造的知識儲備和潛質。
考試要求達到高等學校優秀本科畢業生的水平，以保證被錄取者具有較好的經濟學理論基礎和科研潛質。
第二部分 考查要點
一 供給和需求的基本原理
1. 供給和需求
2. 市場機制與市場均衡的變動
3. 供給和需求的彈性
4. 政府干預——價格控制的效應
二 消費者行為
1. 消費者選擇
2. 個人需求與市場需求
3. 收入效應和替代效應
4. 消費者剩余與網絡外部性
三 生產
1. 生產技術
2. 一種可變投入要素(勞動)的生產
3. 兩種可變投入要素的生產
4. 規模報酬
四 生產成本
1. 成本的測度：哪些成本重要？
2. 短期成本與長期成本
3. 長期與短期成本曲線
4. 兩種產品的生產——范圍經濟
五 利潤最大化和競爭性供給
1. 完全競爭市場
2. 邊際收益、邊際成本和利潤最大化
3. 選擇短期產量與競爭性廠商及市場的短期供給曲線
4. 長期產量選擇與行業的長期供給曲線
六 競爭性市場分析
1. 競爭性市場的效率
2. 最低價格、價格支持和生產配額
3. 進口配額與關稅
4. 征稅或補貼的影響
七 市場勢力：壟斷與買方壟斷
1. 壟斷勢力的來源與社會成本
2. 買方壟斷與買方壟斷勢力
3. 限制市場勢力：反托拉斯法
4. 有市場勢力的定價
八 壟斷競爭和寡頭壟斷
1. 壟斷競爭
2. 寡頭壟斷
3. 價格競爭
4. 博弈論和競爭策略
九 投入要素市場
1. 競爭性要素市場
2. 競爭性要素市場的均衡
3. 買方壟斷勢力的要素市場
4. 有壟斷勢力時的要素市場
十 一般均衡與經濟效率
1. 一般均衡分析
2. 交換與生產的效率
3. 信息不對稱市場
4. 外部性與公共品
十一 宏觀經濟數據
1. 國內生產總值：基本概念、核算方法和核算體系
2. 消費者價格指數
3. 失業率
十二 國民收入的來源與分配
1. 長期中國民收入的決定和分配
2. 總需求的構成
3. 產品和勞務市場及可貸資金市場
4. 擠出效應
十三 貨幣與通貨膨脹
1. 貨幣的概念、特征和貨幣數量的衡量
2. 貨幣數量論
3. 貨幣乘數
4. 通貨膨脹的成因和影響
十四 經濟增長理論
1. 新古典增長理論
2. 新增長理論
十五 經濟波動導論
1. 宏觀經濟學的時間范疇
2. 總需求
3. 總供給
4. 穩定化政策
十六 IS-LM模型
1. 產品市場與IS曲線
2. 貨幣市場與LM曲線
3. 產品市場與貨幣市場的一般均衡
4. IS-LM模型的運用
十七 開放經濟的宏觀經濟均衡
1. 開放經濟中的貿易、資本流動和匯率
2. 蒙代爾-弗萊明模型
3. 不同匯率制度下蒙代爾-弗萊明模型的運用
4. 國際利率差別的原因及影響
十八 總供給與菲利普斯曲線
1. 三種總供給曲線
2. 通貨膨脹、失業與菲利普斯曲線
十九 宏觀經濟政策的爭論
1. 穩定政策
2. 政府債務
二十 經濟學前沿動態與經濟熱點分析
第三部分 考試形式
一 答卷方式：閉卷，筆試
二 答題時間：180分鐘
三 滿分150分，分值比例
微觀經濟學 約50%
宏觀經濟學 約50%
四 題型比例
選擇題 約25%
判斷題 約 15%
計算題 約30%
分析題 約20%
其他題型 按需設置
五 參考書目
平狄克、魯賓費爾德：《微觀經濟學》（第八版），中國人民大學出版社，2013年6月。
曼昆：《宏觀經濟學》（第七版），中國人民大學出版社，2011年9月。
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華中科技大學博士研究生入學考試《半導體物理》考試大綱
（科目代碼：2207）
第一部分 考試說明
一、考試性質
全國博士研究生入學考試是為高等學校招收博士研究生而設置的。它的評價標準是高等學校優秀碩士畢業生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有基本的半導體物理基礎并有利于在專業上擇優選拔。
考試對象為參加當年全國博士研究生入學考試的碩士畢業生，或具有同等學力的在職人員。
二、考試的學科范圍
考試內容包括：半導體中的電子狀態、半導體中雜質和缺陷能級、半導體中載流子的統計分布、半導體的導電性、非平衡載流子、pn結、金屬和半導體的接觸、半導體表面與MIS結構、半導體異質結構、半導體的光學性質和光電與發光現象、半導體的熱電性質。
考查要點詳見本綱第二部分。
三、評價目標
本課程考試的目的是考察考生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎知識解決電子科學與技術相關問題的能力。
四、考試形式與試卷結構
1答卷方式：閉卷，筆試。
2 答題時間：180分鐘。
3 各部分內容的考查比例：滿分 100 分
半導體中的電子狀態、雜質和缺陷能級 約20%；
半導體中載流子的統計分布、導電性 約30%；
非平衡載流子、p－n結、金屬－半導體接觸 約30%；
半導體表面與MIS結構、異質結 約10%；
半導體光、電、熱特性 約10%。
4 題型比例：
簡答題（包括概念、判斷題、填空）45%；證明題10%、作圖及說明題15%、計算題10%、論述題20%。
第二部分 考查要點
1 半導體中的電子狀態
半導體的晶格結構和結合性質；半導體中的電子狀態和能帶；半導體中電子的運動、有效質量；本征半導體的導電機構、空穴；回旋共振；硅和鍺的能帶結構；Ⅲ–Ⅴ族化合物半導體的能帶結構；Ⅱ–Ⅵ族化合物半導體的能帶結構；Si1-xGex合金的能帶；寬禁帶半導體材料。
2 半導體中雜質和缺陷能級
硅、鍺晶體中的雜質能級；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的雜質能級；氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質能級；缺陷、位錯能級。
3 半導體中載流子的統計分布
狀態密度；費米能級和載流子的統計分布；本征半導體的載流子濃度；雜質半導體的載流子濃度；一般情況下的載流子統計分布；簡并半導體；電子占據雜質能級的概率。
4 半導體的導電性
載流子的漂移運動和遷移率；載流子的散射；遷移率與雜質濃度和溫度的關系；電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系；玻耳茲曼方程、電導率的統計理論；強電場下的效應、熱載流子；多能谷散射、耿氏效應。
5 非平衡載流子
非平衡載流子的注入與復合；非平衡載流子的壽命；準費米能級；復合理論；陷阱效應；載流子的擴散運動；載流子的漂移擴散，愛因斯坦關系式；連續性方程式；硅的少數載流子壽命與擴散長度。
6 pn結
pn結及其能帶圖；pn結電流電壓特性；pn結電容；pn結擊穿；pn結隧道效應。
7 金屬和半導體接觸
金屬半導體接觸及其能級圖；金屬半導體接觸整流理論；少數載流子的注入和歐姆接觸。
8 半導體表面和MIS結構
表面態；表面電場效應；MIS結構的C–V特性；硅–二氧化硅系統的性質；表面電導及遷移率；表面電場對pn結特性的影響。
9 半導體異質結構
半導體異質結及其能帶圖；半導體異質pn結的電流電壓特性及注入特性；半導體異質結量子阱結構及其電子能態與特性；半導體應變異質結構；GaN基半導體異質結構；半導體超晶格。
10 半導體的光學性質和光電與發光現象
半導體的光學常數；半導體的光吸收；半導體的光電導；半導體的光生伏特效應；半導體發光；半導體激光；半導體異質結在光電子器件中的應用。
11 半導體的熱電性質
熱電效應的一般描述；半導體的溫差電動勢率；半導體的珀耳帖效應；半導體的湯姆遜效應；半導體的熱導率；半導體熱電效應的應用。
第三部分 考試樣題（略）
